یک جمع کننده، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می¬باشد. طراحی یک جمع کننده که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می¬باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می¬کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در جمع کننده اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می¬شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ترانزیستور FinFET براساس مدل فرایند PTM 32nm با ولتاژ تغذیه 0/5ولت برای کاربردهای موبایل پیشنهاد می¬شود. با استفاده از نرم افزار HSPICE ، پارامترهای اصلی تمام جمع کننده از قبیل توان ایستا، توان مصرفی میانگین، تاخیر و حاصلضرب تاخیر در توان(PDP) اندازه گیری شدند. توان ایستا 7/2نانو وات، تاخیر 106/82پیکو ثانیه، توان مصرفی میانگین 0/13 میکرو وات و PDP برابر 17-10×1/43 ژول در این تحقیق بدست آمدند.
کلید واژگان :
فوق العاده ولتاژ پایین، توان پایین، ترانزیستور FinFET.
