در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) جدید کاملاً تفاضلی بر اساس ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) ارائه می¬شود. برای دستیابی به بهره ولتاژ بالاتر از وارونگر double CMOS pair به جای وارونگر CMOS معمولی و یک ساختار دو طبقه استفاده شده است. اولین طبقه این OTA متشکل از یک مسیر پیشرو جهت حذف سیگنال های حالت مشترک و دومین طبقه شامل یک فیدبک حالت مشترک جهت تثبیت ولتاژ حالت مشترک خروجی می¬شود. این OTA با تکنولوژی 16nm MOS-GNRFET CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. ولتاژ کاری این مدار 1 ولت بوده و بهره dc آن 40 دسی بل می¬باشد. فرکانس بهره واحد (UGF) برابر با 25/13 مگا هرتز بوده و حد فاز آن °58 است. توان مصرفی OTA پیشنهادی با بار خازنی 13 پیکو فاراد و بار مقاومتی 100 کیلو اهم در خروجی برابر با 77/5میکرو وات بوده و برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین مناسب است.
کلید واژگان :
تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA)، ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)، وارونگر double CMOS pair، ساختار دو طبقه، ولتاژ پایین و توان پایین.
