در این مقاله یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی(OTA) دو طبقه بهینه شده با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) ارائه شده است. اولین طبقه این OTA یک مسیر پیشرو جهت حذف سیگنالهای حالت مشترک و دومین طبقه، فیدبک حالت مشترک جهت تثبیت ولتاژ حالت مشترک خروجی دارا می¬¬باشد. این OTA با تکنولوژی 32nm CNTFET طراحی و شبیه سازی شده است. ولتاژ کاری این مدار 0.6 V بوده و بهره dc آن 93.81 dB می-باشد. فرکانس کاری بهره واحد (UGF) حاصله برابر با 8.51 MHz بوده و حد فاز آن °52 است. توان مصرفی ساختار پیشنهادی با بار خازنی 13 پیکو فاراد و بار مقاومتی 100 کیلو اهم 74.77µW بوده و برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین مناسب است. براساس شبیه سازی های انجام گرفته این ساختار حتی در ولتاژ تغذیه 5/0 ولت نیز عملکرد ممتازی از خود نشان می¬دهد.
کلید واژگان :
تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA)، ساختار دو طبقه، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET)، ولتاژ پایین و توان پایین.
